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Casa > produtos > Memória IC Chip > CY7C1041GN-10VXIT
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CY7C1041GN-10VXIT
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
10ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
44-SOJ
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
4.5V ~ 5.5V
Tempo de acesso:
10 ns
Embalagem / Caixa:
44-BSOJ (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
256K x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrona
Número do produto de base:
CY7C1041
Formato de memória:
SRAM
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
10ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
44-SOJ
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
4.5V ~ 5.5V
Tempo de acesso:
10 ns
Embalagem / Caixa:
44-BSOJ (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
256K x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM - Assíncrona
Número do produto de base:
CY7C1041
Formato de memória:
SRAM
CY7C1041GN-10VXIT
SRAM - IC de memória assíncrona 4Mbit paralelo 10 ns 44-SOJ

Tags:

PC28F128J3F75F Memória Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memória,

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