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W63AH6NBVADI
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Descrição: IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
1Gbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
HSUL_12
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A partir de 1 de janeiro de 2016, o número de veículos aéreos de passageiros deve ser fixado no núme
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Eletrônica de Winbond
Frequência do relógio:
10,066 GHz
Voltagem - Fornecimento:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
5,5 ns
Embalagem / Caixa:
178-VFBGA
Organização da memória:
64M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR3 móvel
Número do produto de base:
W63AH6
Formato de memória:
DRAM
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
1Gbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
HSUL_12
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A partir de 1 de janeiro de 2016, o número de veículos aéreos de passageiros deve ser fixado no núme
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Eletrônica de Winbond
Frequência do relógio:
10,066 GHz
Voltagem - Fornecimento:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
5,5 ns
Embalagem / Caixa:
178-VFBGA
Organização da memória:
64M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR3 móvel
Número do produto de base:
W63AH6
Formato de memória:
DRAM
W63AH6NBVADI
SDRAM - Mobile LPDDR3 Memória IC 1Gbit HSUL_12 1,066 GHz 5,5 ns 178-VFBGA (11x11.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memória Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memória,

Chip de IC de memória 64-FBGA

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