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AS4C32M8SA-6TIN
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Detalhes do produto

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Descrição: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
256Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-TSOP II
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Alliance Memória, Inc.
Frequência do relógio:
166 MHz
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Tempo de acesso:
5,5 ns
Embalagem / Caixa:
54-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
32M x 8
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Número do produto de base:
AS4C32
Formato de memória:
DRAM
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
256Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-TSOP II
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
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Frequência do relógio:
166 MHz
Voltagem - Fornecimento:
3 V ~ 3,6 V
Tempo de acesso:
5,5 ns
Embalagem / Caixa:
54-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
32M x 8
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM
Número do produto de base:
AS4C32
Formato de memória:
DRAM
AS4C32M8SA-6TIN
Memória SDRAM IC 256Mbit Paralelo 166 MHz 5,5 ns 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Memória Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memória,

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