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Casa > produtos > Memória IC Chip > CY14B104L-BA20XI
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CY14B104L-BA20XI
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Detalhes do produto

Termos do pagamento & do transporte

Descrição: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tubos
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
20ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
48-FBGA (6x10)
Tipo de memória:
Não voláteis
Mfr:
Cypress Semicondutor Corp
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Tempo de acesso:
20 ns
Embalagem / Caixa:
48-TFBGA
Organização da memória:
512K x 8
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número do produto de base:
CY14B104
Formato de memória:
NVSRAM
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tubos
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
20ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
48-FBGA (6x10)
Tipo de memória:
Não voláteis
Mfr:
Cypress Semicondutor Corp
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Tempo de acesso:
20 ns
Embalagem / Caixa:
48-TFBGA
Organização da memória:
512K x 8
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número do produto de base:
CY14B104
Formato de memória:
NVSRAM
CY14B104L-BA20XI
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memória IC 4Mbit Parallel 20 ns 48-FBGA (6x10)

Tags:

PC28F128J3F75F Memória Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memória,

Chip de IC de memória 64-FBGA

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