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Casa > produtos > Memória IC Chip > W66BM6NBUAFJ TR
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W66BM6NBUAFJ TR
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Descrição: IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
2Gbit
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
LVSTL_11
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
18ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
200-WFBGA (10x14.5)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Eletrônica de Winbond
Frequência do relógio:
1,6 gigahertz
Voltagem - Fornecimento:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
3,5 ns
Embalagem / Caixa:
200-WFBGA
Organização da memória:
128M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 105°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR4X móvel
Número do produto de base:
W66BM6
Formato de memória:
DRAM
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
2Gbit
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
LVSTL_11
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
18ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
200-WFBGA (10x14.5)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Eletrônica de Winbond
Frequência do relógio:
1,6 gigahertz
Voltagem - Fornecimento:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
3,5 ns
Embalagem / Caixa:
200-WFBGA
Organização da memória:
128M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 105°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR4X móvel
Número do produto de base:
W66BM6
Formato de memória:
DRAM
W66BM6NBUAFJ TR
SDRAM - IC de memória LPDDR4X móvel 2Gbit LVSTL_11 1,6 GHz 3,5 ns 200-WFBGA (10x14.5)

Tags:

PC28F128J3F75F Memória Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memória,

Chip de IC de memória 64-FBGA

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