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Casa > produtos > Memória IC Chip > CY14B104NA-ZSP25XI
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CY14B104NA-ZSP25XI
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Termos do pagamento & do transporte

Descrição: IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II

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Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
25ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-TSOP II
Tipo de memória:
Não voláteis
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Tempo de acesso:
25 ns
Embalagem / Caixa:
54-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
256K x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número do produto de base:
CY14B104
Formato de memória:
NVSRAM
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
25ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-TSOP II
Tipo de memória:
Não voláteis
Mfr:
Tecnologias Infineon
Tamanho da Memória:
4Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Tempo de acesso:
25 ns
Embalagem / Caixa:
54-TSOP (0,400", largura de 10.16mm)
Organização da memória:
256K x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
NVSRAM (SRAM permanente)
Número do produto de base:
CY14B104
Formato de memória:
NVSRAM
CY14B104NA-ZSP25XI
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memória IC 4Mbit Parallel 25 ns 54-TSOP II

Tags:

PC28F128J3F75F Memória Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memória,

Chip de IC de memória 64-FBGA

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