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As emissões de CO2 provenientes de fontes de energia renovável não devem ser consideradas como emissões de CO2 provenientes de fontes renováveis.

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Descrição: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA

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Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
512 Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-FBGA (8x8)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Alliance Memória, Inc.
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TJ)
Frequência do relógio:
166 MHz
Voltagem - Fornecimento:
1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
5,5 ns
Embalagem / Caixa:
54-VFBGA
Organização da memória:
32M x 16
Tecnologia:
SDRAM - SDRAM móvel
Número do produto de base:
AS4C32
Formato de memória:
DRAM
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
512 Mbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Pacote de dispositivos do fornecedor:
54-FBGA (8x8)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Alliance Memória, Inc.
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TJ)
Frequência do relógio:
166 MHz
Voltagem - Fornecimento:
1.7V ~ 1.95V
Tempo de acesso:
5,5 ns
Embalagem / Caixa:
54-VFBGA
Organização da memória:
32M x 16
Tecnologia:
SDRAM - SDRAM móvel
Número do produto de base:
AS4C32
Formato de memória:
DRAM
As emissões de CO2 provenientes de fontes de energia renovável não devem ser consideradas como emissões de CO2 provenientes de fontes renováveis.
SDRAM - Memória móvel SDRAM IC 512Mbit Paralelo 166 MHz 5,5 ns 54-FBGA (8x8)
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