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AS4C64M32MD1-5BIN
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Descrição: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
2Gbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
90 FBGA (8x13)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Alliance Memória, Inc.
Frequência do relógio:
200 MHz
Voltagem - Fornecimento:
1.7V ~ 1.9V
Tempo de acesso:
5 ns
Embalagem / Caixa:
90-VFBGA
Organização da memória:
64M x 32
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR móvel
Número do produto de base:
AS4C64
Formato de memória:
DRAM
Categoria:
Circuitos integrados (CI) Memória Memória
Tamanho da Memória:
2Gbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
15ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
90 FBGA (8x13)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Alliance Memória, Inc.
Frequência do relógio:
200 MHz
Voltagem - Fornecimento:
1.7V ~ 1.9V
Tempo de acesso:
5 ns
Embalagem / Caixa:
90-VFBGA
Organização da memória:
64M x 32
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR móvel
Número do produto de base:
AS4C64
Formato de memória:
DRAM
AS4C64M32MD1-5BIN
SDRAM - IC de memória móvel LPDDR 2Gbit paralelo 200 MHz 5 ns 90-FBGA (8x13)

Tags:

PC28F128J3F75F Memória Nand Flash Ic,

MT29C2G24MAABAKAMD-5 IT TR Chip de IC de memória,

Chip de IC de memória 64-FBGA

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